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BTL7-S566-M1400-P-KA05巴鲁夫位移武汉代理现货供应

巴鲁夫位移武汉代理现货供应

型    号: BTL7-S566-M1400-P-KA05
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巴鲁夫位移武汉代理现货供应高频读写头现货BIS L使用低频 (LF) 125 kHz,并采用被动式数据载体。分析单元对读取磁头探测到的数据进行处理,并将其转发给与PLC/PC进行通信的工业现场总线。您可以利用BIS V型分析单元同时最多运行四个读取磁头,无论是低频、高频还是超高频。

  • 产品描述

巴鲁夫位移武汉代理现货供应

巴鲁夫位移武汉代理现货供应

巴鲁夫位移武汉代理现货供应

BIS M使用高频 (HF) 13.56 MHz,支持DIN ISO 15693和14443标准。读/写磁头是数据载体和分析单元之间的连接纽带。BIS M读/写磁头提供绝对的数据安全性。它们有不同的结构形式、尺寸 – 例如圆形/棒形天线,所以能满足各种各样的任务要求。

接口

  • 多种测量模式(黑暗测量、多重测量、透明模式)
  • 带计数和时间功能的运行小时计数器
  • 统计记录
  • 精确的 1 类激光(无需额外的防护措施)
  • 高分辨率 (10...100 μm)
  • 金属外壳,玻璃光学组件
  • 重置输入
  • 便于操作的图形显示器
  • 切换输出端A1作为模拟输出端可切换(0...10 V/4...20 mA)
  • 可消除的温度偏差
  • 设有 2 个彼此独立的切换输出端

BALLUFF的IO-link工业网络产品与RFID(BIS V系列处理器、读写头)的结合运用, 具有分布性强、防护等级高、易于安装维护、性能稳定等特点。广泛应用于汽车零部件行业的全自动装配线,全自动测试线。大大节约了现场硬件投资成本,并减少设备的停机维护时间,提高客户的生产效率。

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2、BALLUFF BISV系列RFID应用

安装数量可观的读写头,确认每个托盘上的工件信息,对产品进行测试、分类、 召回、返工及报废。由于生产节拍快,读写的时间非常有限,因此用户对动态读写速度有很高要求。BIS V的无线追溯方案可以实现高速的动态读写功能,充分满足高速生产节拍的要求。同时BIS V处理器可连接4个RFID读写头,是常规处理器的两倍,为客户节约了硬件成本。

3、BALLUFF工业网络产品应用

每个装配汽车座椅的工位安装了众多巴鲁夫接近开关、气缸磁敏开关和光电开关,它们可精确完成装配线上铆接、涂胶、点焊等装配动作,减少差错率,提高产能,优化制造商的装配线流程。除此之外,巴鲁夫工业网络与连接的主站模块和IO-link子站,可用于连接传感器各个开关点,提供DI、DO及模拟量输出, 方便客户设计、布线、安装和维护。

1、涡流式接近开关

  这种开关有时也叫电感式接近开关。它是利用导电物体在接近这个能产生电磁场接近开关时,使物体内部产生涡流。这个涡流反作用到接近开关,使开关内部电路参数发生变化,由此识别出有无导电物体移近,进而控制开关的通或断。这种接近开关所能检测的物体必须是导电体。

2、电容式接近开关

  这种开关的测量通常是构成电容器的一个极板,而另一个极板是开关的外壳。这个外壳在测量过程中通常是接地或与设备的机壳相连接。当有物体移向接近开关时,不论它是否为导体,由于它的接近,总要使电容的介电常数发生变化,从而使电容量发生变化,使得和测量头相连的电路状态也随之发生变化,由此便可控制开关的接通或断开。这种接近开关检测的对象,不限于导体,可以绝缘的液体或粉状物等。

位移传感器的工作原理

  电位器式位移传感器,它通过电位器元件将机械位移转换成与之成线性或任意函数关系的电阻或电压输出。普通直线电位器和圆形电位器都可分别用作直线位移和角位移传感器。但是,为实现测量位移目的而设计的电位器,要求在位移变化和电阻变化之间有一个确定关系。电位器式位移传感器的可动电刷与被测物体相连。

BIS V-6108-048-C002   

BIS M-371-000-A01

BIS M-135-03/L

BCC M415-M414-3A-305-PS0434-100

BCC A335-0000-10-000-61X5A5-000

BCC M474-0000-2D-000-51X475-000

BES 516-325-SA19-03

BES 516-371-G-E4-C-02

BIS M-626-069-A01-06-ST32

BIS M-135-03/L-HT

BIS M-870-1-008-X-001

BIS  C-61R-001-08P-PU-05

BSI R11A0-XB-CXS045-S75G

BTL5-P-5500-2

BTL5-E10-M0150-P-S32

BTL7-S562-M0305-P-S32

BTL6-E500-M0450-PF-S115

BTL5-T110-M0175-P-S103

BTL7-E501-M0300-P-S32

 BTL7-S575B-M1700-P-S32

BTL5-A11-M0407-P-S32

BTL7-G110-M0050-B-KA05

BTL7-S572-M0650-P-S32

BTL6-A110-M0250-A1-S115

BTL7-E500-M0225-K-SR32

BTL7-E500-M0425-K-SR32

BES 516-325-G-E5-C-S4

BES M12MI-PSH80B-S04G

BES M12MI-PSC20B-BV03

BIS V-6111-073-C003

其精细、清晰的激光束可让您精确地探测到哪怕是最小的物体。由于模拟量输出曲线可根据您的应用进行调整,因此您还可以单独设置传感器的测量范围。该传感器还具有开关量输出端,可将其用作限位开关。例如,可以对其进行设置,让传感器在没有补给时进行切换。且传感器的设置很简单。开关点和输出曲线都可使用简单的按键来示教。可使用安装支架或燕尾夹进行快速安装,从而加快调试速度。

 

根据电属性状态的不同变化,将光电效应分为以下三种:

1)外光电效应

在光线作用下使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电元件有光电管,光电倍增管等。

2)光电岛效应

有光电管,光电倍增管等。

半导体内的电子吸收光子后不能跃出半导体,使物体的电导率发生变化,或产生光生电动势的现象称为内光电效应。内光电效应按其工作原理可分为光电导效应和光生伏特效应。基于光电导效应的光电元件有光敏电阻,光敏晶体管等。

3)光生伏特效应

在光线作用下,物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应。基于光生伏特效应的光电元件有光电池和光敏二极管、三极管等。

以光电管为例,当入射光照射在阴极上时,单个光子把它的全部能量传递给阴极材料中的一个自由电子,从而使自由电子的能量增加。当电子获得的能量大于阴极材料的逸出功时,它就可以克服金属表面束缚而逸出,形成电子发射,这种电子称为光电子。只有当入射光的频率高于极限频率时,才会产生光电子。

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